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IPD100N04S4-02品牌：英飞凌产品属性：

类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商：Infineon Technologies
系列：OptiMOS
包装：卷带（TR）剪切带（CT）
产品状态：在售
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：4V @ 95μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：118 nC @ 10 V
Vgs（大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：9430 pF @ 25 V
功率耗散（大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3-313
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号：IPD100

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