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 RJH60D0DPK-00#T0,品牌：RENESAS/瑞萨产品属性：

 RJH60D0DPK-00#T0,品牌：RENESAS/瑞萨，GBT 沟道 600 V 45 A 140 W 通孔 TO-3P

原装现货，公司库存，价格可谈，秒发货。

类别:分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商:Renesas Electronics America Inc
系列
包装:管件
Product Status:在售
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿（大值）:600 V
电流 - 集电极 (Ic)（大值）:45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（大值）:2.2V @ 15V，22A
功率 - 大值:140 W
开关能量:230μJ（开），290μJ（关）
输入类型:标准
栅极电荷:46 nC
25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns
测试条件:300V，22A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):100 ns
工作温度:150°C（TJ）
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-3P
基本产品编号:RJH60D0

特征
 短路耐受时间（5s典型。）
 低集电极-发射极饱和电压VCE（sat）=1.6 V典型值。（在IC=22A、VGE=15V、Ta=25°C时）
 一个封装中的内置快速恢复二极管（典型值100纳秒）
 沟槽栅极和薄晶片技术
 高速开关 
tf=70纳秒典型值。（在VCC=300V、VGE=15V、IC=22A、Rg=5时, Ta=25°C，感应负载）

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