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场效应管，NDS332P,品牌：ON

表面贴装型 P 通道 20 V 1A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3。

特征

大额定值TA=25°C，除非另有说明

符号参数NDS332P单位
VDSS漏极-源极电压-20 V
VGSS栅极-源极电压-连续±8 V
ID漏极电流-连续（注1a）-1 A-脉冲-10PD大功耗（注1a）0.5TJ、

TSTG运行和储存温度范围-55至150℃热特性RθJA热阻

结对环境温度（注1a）250°C/WRθJC热阻，结至外壳（注1）75°C/W
NDS332P版本E-1A，-20V，RDS（开）=0.41Ω @ VGS=-2.7V
RDS（开）=0.3Ω @ VGS=-4.5V。
极低电平栅极驱动要求，允许直接
在3V电路中操作。VGS（th）<1.0V。
使用铜引线框架的专有封装设计
卓越的热性能和电气性能。
用于极低RDS（ON）的高密度单元设计。
卓越的导通电阻和大直流电流
能力。
紧凑型工业标准SOT-23表面安装
包裹

NDS332P产品图片

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